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半導(dǎo)體器件原理

作者:黃均鼐
出版社:復(fù)旦大學(xué)出版社出版時(shí)間:2020-07-01
開本: 16開 頁(yè)數(shù): 194
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半導(dǎo)體器件原理 版權(quán)信息

半導(dǎo)體器件原理 內(nèi)容簡(jiǎn)介

本書主要闡述半導(dǎo)體器件的基本原理,這些器件包括:二極管、雙極型晶體管、金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)以及其它類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。

半導(dǎo)體器件原理 目錄

**章半導(dǎo)體器件的物理基礎(chǔ)/1 1.1半導(dǎo)體的特性/1 1.1.1晶體的結(jié)構(gòu)/1 1.1.2半導(dǎo)體在電性能上的獨(dú)特性質(zhì)/2 1.2電子能級(jí)和能帶/3 1.2.1電子的共有化運(yùn)動(dòng)/3 1.2.2晶體中的能帶/3 1.3半導(dǎo)體中的載流子/5 1.3.1電子密度和空穴密度表達(dá)式/5 1.3.2載流子密度與費(fèi)密能級(jí)位置的關(guān)系/7 1.4雜質(zhì)半導(dǎo)體/8 1.4.1兩種不同導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體/9 1.4.2雜質(zhì)半導(dǎo)體/10 1.5非平衡載流子/10 1.5.1非平衡載流子的產(chǎn)生和復(fù)合/11 ……
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