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電力半導(dǎo)體新器件及其制造技術(shù)

電力半導(dǎo)體新器件及其制造技術(shù)

出版社：機(jī)械工業(yè)出版社出版時間：2015-06-01
開本： 16開 頁數(shù)： 554
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電力半導(dǎo)體新器件及其制造技術(shù) 版權(quán)信息

電力半導(dǎo)體新器件及其制造技術(shù) 本書特色

本書介紹了電力半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、原理、特性、設(shè)計(jì)、制造工藝、可靠性與失效機(jī)理、應(yīng)用共性技術(shù)及數(shù)值模擬方法。內(nèi)容涉及功率二極管、晶閘管及其集成器件（包括gto、igct、eto及mto）、功率mosfet、絕緣柵雙極型晶體管(igbt)以及電力半導(dǎo)體器件的功率集成技術(shù)、結(jié)終端技術(shù)、制造技術(shù)、共性應(yīng)用技術(shù)、數(shù)值分析與仿真技術(shù)。重點(diǎn)對功率二極管的快軟恢復(fù)控制、gto的門極硬驅(qū)動、igct的透明陽極和波狀基區(qū)、功率mosfet的超結(jié)及igbt的電子注入增強(qiáng)（ie）等新技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)介紹。 　　本書可作為電子科學(xué)與技術(shù)、電力電子與電氣傳動等學(xué)科的本科生、研究生專業(yè)課程的參考書，也可供從事電力半導(dǎo)體器件制造及應(yīng)用的工程技術(shù)人員和有關(guān)科技管理人員參考。

電力半導(dǎo)體新器件及其制造技術(shù) 內(nèi)容簡介

本書介紹了電力半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、原理、特性、設(shè)計(jì)、制造工藝、可靠性與失效機(jī)理、應(yīng)用共性技術(shù)及數(shù)值模擬方法。內(nèi)容涉及功率二極管、晶閘管及其集成器件[（包括GTO晶閘管、集成門極換流晶閘管（IGCT））]、功率MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)，以及電力半導(dǎo)體器件的功率集成技術(shù)、結(jié)終端技術(shù)、制造技術(shù)、共性應(yīng)用技術(shù)、數(shù)值分析與模擬技術(shù)。重點(diǎn)對GTO的單位電流增益、IGCT的透明陽極和波狀基區(qū)，功率MOSFET的超結(jié)及IGBT的發(fā)射極電子注入增強(qiáng)（IE）等新技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)介紹。

電力半導(dǎo)體新器件及其制造技術(shù) 目錄

電力電子新技術(shù)系列圖書序言
前言
第1章緒論
  1.1  電力半導(dǎo)體器件概述
    1.1.1  與電力電子技術(shù)關(guān)系
    1.1.2  定義與分類
  1.2  發(fā)展概況
    1.2.1  電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展
    1.2.2  制造技術(shù)的發(fā)展
  參考文獻(xiàn)
第2章  功率二極管
  2.1  普通功率二極管
    2.1.1  結(jié)構(gòu)類型
    2.1.2  工作原理與i-u特性
    2.1.3  靜態(tài)與動態(tài)特性
  2.2  快速軟恢復(fù)二極管
    2.2.1  結(jié)構(gòu)類型
    2.2.2  軟恢復(fù)的機(jī)理及控制
  2.3  功率肖特基二極管
    2.3.1  結(jié)構(gòu)類型與制作工藝
    2.3.2  工作原理與i-u特性
    2.3.3  靜態(tài)特性
  2.4  功率二極管的設(shè)計(jì)
    2.4.1  普通功率二極管的設(shè)計(jì)
    2.4.2  快速軟恢復(fù)二極管的設(shè)計(jì)
    2.4.3  功率肖特基二極管的設(shè)計(jì)
  2.5  功率二極管的應(yīng)用與失效分析
    2.5.1  安全工作區(qū)及其限制因素
    2.5.2  失效分析
    2.5.3  特點(diǎn)與應(yīng)用范圍
  參考文獻(xiàn)
第3章  晶閘管及其集成器件
……
第4章  功率mosfet
第5章  絕緣柵雙極型晶體管
第6章  功率集成技術(shù)
第7章  電力半導(dǎo)體器件的結(jié)終端技術(shù)
第8章  電力半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)
第9章  電力半導(dǎo)體器件的應(yīng)用共性技術(shù)
第10章  電力半導(dǎo)體器件的數(shù)值分析與仿真技術(shù)

 

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