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窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué)(精)/半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書

包郵 窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué)(精)/半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書

作者：褚君浩
出版社：科學(xué)出版社出版時間：2018-12-01
開本： 16開 頁數(shù)： 960
中 圖 價:¥235.4(7.9折) 定價  ¥298.0 登錄后可看到會員價
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窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué)(精)/半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書 版權(quán)信息

窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué)(精)/半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書 內(nèi)容簡介

本書主要討論了窄帶半導(dǎo)體物理的基本物理性質(zhì),包括晶體生長、能帶結(jié)構(gòu)、光學(xué)常數(shù)、晶格振動、自由載流子的激發(fā)和運(yùn)輸、雜質(zhì)缺陷、非線性光學(xué)性質(zhì)、表面界面、二維電子氣超晶格和量子阱、器件物理的方面基本物質(zhì)發(fā)現(xiàn)的現(xiàn)象、效應(yīng)和規(guī)律，以及近年來的主要研究進(jìn)展。

窄禁帶半導(dǎo)體物理學(xué)(精)/半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)叢書 目錄

序
前言
第1章 概述
1.1 窄禁帶半導(dǎo)體
1.2 現(xiàn)代紅外光電子物理
1.2.1 紅外材料平臺
1.2.2 紅外物理規(guī)律
1.2.3 紅外功能器件
1.2.4 紅外技術(shù)應(yīng)用
參考文獻(xiàn)

第2章 晶體
2.1 晶體生長的基本理論
2.1.1 引言
2.1.2 晶體生長熱力學(xué)問題
2.1.3 晶體生長動力學(xué)問題
2.1.4 相圖在晶體生長中的應(yīng)用
2.1.5 分凝系數(shù)
2.1.6 凝固過程
2.2 體材料生長的主要方法
2.2.1 提拉法
2.2.2 布里奇曼方法
2.2.3 半熔法和Te溶劑法
2.2.4 固態(tài)再結(jié)晶方法
2.3 液相外延薄膜的生長
2.3.1 Hg1-xCdxTe液相外延生長條件
2.3.2 液相外延的生長程序
2.3.3 不同方式液相外延的比較
2.3.4 影響Hg1-xCdxTe液相外延層質(zhì)量的幾個因素
2.4 分子束外延薄膜生長
2.4.1 分子束外延生長過程

第3章 能帶結(jié)構(gòu)
第4章 光學(xué)性質(zhì)
第5章 輸運(yùn)性質(zhì)
第6章 晶格振動
第7章 雜質(zhì)缺陷
第8章 復(fù)合
第9章 表面二維電子氣
第10章 超晶格和量子阱
第11章 器件物理
附錄A 不同組分的HG1-xCDxTe的物理量關(guān)系表
附錄B 簡要公式
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